一、产品概述

GMR（Giant MagnetoResistance）巨磁电阻是指磁场改变时物质（铁磁金属和合金多晶体）的电阻值发生巨大变化（△R/R)<20%）。

GMR传感器由GMR磁电阻组成，由4个磁电阻组成惠斯通电桥，该结构可以提供较好的温度补偿。作为一种有源器件，工作时须提供一定的供电电压（Vcc），通常为5V供电时，传感器输出端（OUT-，OUT+）输出约50mV/Oe差分电压信号。

GMR传感器可以实现对静/动态微弱磁场测量，具有灵敏度高、体积小、功耗低等优点。

SAD01 双极性 GMR 传感器芯片采用惠斯通电桥结构。当向电桥供电后，在敏感方向加入磁场强度会引起电桥中电阻元件的变化，导致电桥输出端的电压产生相应的变化，即传感器的输出电压变化量与外加磁场强度成正比。传感器芯片采用一组 GMR 惠斯通电桥结构，将磁场转化成差分电压（全桥）输出，具有高灵敏度、低磁滞、低温漂和优良的线性度等优点。产品可广泛应用于智能电网、智能交通、汽车电子、工业控制、医疗设备、消费电子等领域。采用SOP8、TO94、SOT23-5、SOT23-6 封装（支持裸片或晶圆）。

四、产品参数

产品规格书，请联系客服或销售人员！